MP5N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP5N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 97 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 87 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MP5N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP5N65 даташит

 ..1. Size:681K  cn minos
 mpf5n65 mp5n65 mdp5n65 mdt5n65.pdf pdf_icon

MP5N65

650V N-Channel MOSFET FEATURES Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability APPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Power Factor Correction (PFC) Device Marking and Package Information Device Package Marking MPF5N65 TO-220F MPF5N65 MP5N65 TO-220C 5N65 MDP5N65 TO-251 5N65 MDT5N65 TO-252 5N65 Absolute Maxim

 9.1. Size:610K  trinnotech
 tmp5n60az tmpf5n60az.pdf pdf_icon

MP5N65

TMP5N60AZ(G)/TMPF5N60AZ(G) Features N-channel MOSFET Low gate charge BVDSS ID RDS(on) 100% avalanche tested 600V 4.2A

 9.2. Size:615K  trinnotech
 tmp5n60z tmpf5n60z.pdf pdf_icon

MP5N65

TMP5N60Z(G)/TMPF5N60Z(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 4.2A

Другие IGBT... MP11P20, MP150N08P, MP180N06P, MP18N20, MP20N40P, MP3205B, MP40N20, MP50N06, AON7506, MP70N10, MP9N20, MPF12N65, MPF13N50, MPF18N20, MPF20N50, AP15N04S, AP3416AI