MPF12N65 Todos los transistores

 

MPF12N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF12N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.68 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF12N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:883K  cn minos
 mpf12n65.pdf pdf_icon

MPF12N65

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe MPF12N65 uses advanced trench technologyand design to provide excellent RDS(ON)with low gatecharge. It can be used in a wide variety of applications.General Features V =12AI =650VDS D R =0.58@V =10V,I =6.0ADS(on)(typ) GS DSchematic diagram Low Crss:18.5pF@25V Fast switching Improved dv/dt capabil

 0.1. Size:393K  jiejie micro
 jmpf12n65bj.pdf pdf_icon

MPF12N65

JMPF12N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 12A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:604K  trinnotech
 tmp12n60a tmpf12n60a.pdf pdf_icon

MPF12N65

TMP12N60A(G)/TMPF12N60A(G) N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 600V 12A

 7.2. Size:332K  trinnotech
 tmp12n60 tmpf12n60.pdf pdf_icon

MPF12N65

TMP12N60/TMPF12N60TMP12N60G/TMPF12N60GVDSS = 660 V @TjmaxFeaturesID = 12A Low gate chargeRDS(on) = 0.65 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP12N60 / TMPF12N60 TO-220 / TO-220F TMP12N60 / TMPF12N60 RoHSTMP12N60G / TMPF12N60G

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History: AP50N03S | MPF13N50 | AP50N06Y

 

 
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