MPF13N50 Todos los transistores

 

MPF13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPF13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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MPF13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  cn minos
 mpf13n50.pdf pdf_icon

MPF13N50

Silicon N-Channel Power MOSFETDescriptionThe MPF13N50 uses advanced technology and design to provideexcellent RDS(ON) . It can be used in a wide variety of applications.General FeaturesV =500V,I =13ADS DSchematic diagramLow ON ResistanceLow Reverse transfer capacitances100% Single Pulse avalanche energy TestApplicationPower switching applicationAdapte

 0.1. Size:336K  trinnotech
 tmp13n50 tmpf13n50.pdf pdf_icon

MPF13N50

TMP13N50/TMPF13N50TMP13N50G/TMPF13N50GVDSS = 550 V @TjmaxFeaturesID = 13A Low gate chargeRDS(on) = 0.48 W(max) @ VGS= 10 V 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS compliant Halogen free package JEDEC QualificationDGSDevice Package Marking RemarkTMP13N50 / TMPF13N50 TO-220 / TO-220F TMP13N50 / TMPF13N50 RoHSTMP13N50G / TMPF13N50G

 0.2. Size:429K  trinnotech
 tmpf13n50a.pdf pdf_icon

MPF13N50

TMPF13N50A N-channel MOSFET Features BVDSS ID RDS(on) Low gate charge 500V 13A

 0.3. Size:1002K  jiejie micro
 jmpf13n50bj.pdf pdf_icon

MPF13N50

JMPF13N50BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 500V, 13A Load SwitchRDS(ON)

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