APJ50N65F Todos los transistores

 

APJ50N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APJ50N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 151 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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APJ50N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1809K  cn apm
 apj50n65f apj50n65p apj50n65t ap65r190.pdf pdf_icon

APJ50N65F

APJ50N65FIPIT (AP65R190) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ50N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type740V

Otros transistores... AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F , APJ30N65P , APJ30N65T , IRFB4110 , APJ50N65P , APJ50N65T , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , APJ14N65F , APJ14N65P , APJ14N65T .

 

 
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