APJ50N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APJ50N65F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APJ50N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ50N65F даташит

 ..1. Size:1809K  cn apm
 apj50n65f apj50n65p apj50n65t ap65r190.pdf pdf_icon

APJ50N65F

APJ50N65FIPIT (AP65R190) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ50N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 740V

Другие IGBT... AP6P04S, AP8G06S, APG120N04NF, APG60N10S, AP65R650, APJ30N65F, APJ30N65P, APJ30N65T, IRLZ44N, APJ50N65P, APJ50N65T, AP65R190, APN9N50D, APJ14N65D, APJ14N65F, APJ14N65P, APJ14N65T