APJ14N65D Todos los transistores

 

APJ14N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APJ14N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de APJ14N65D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

APJ14N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1921K  cn apm
 apj14n65d ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65D

APJ14N65D (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65D is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type730V IDM

 6.1. Size:1818K  cn apm
 apj14n65f apj14n65p apj14n65t ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65D

APJ14N65FIPIT (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type730V

Otros transistores... APJ30N65F , APJ30N65P , APJ30N65T , APJ50N65F , APJ50N65P , APJ50N65T , AP65R190 , APN9N50D , IRF3710 , APJ14N65F , APJ14N65P , APJ14N65T , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.