DMN3300U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN3300U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 193 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT23

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DMN3300U datasheet

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DMN3300U

DMN3300U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-23 150 m @VGS = 4.5V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 200 m @VGS = 2.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-S

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DMN3300U

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DMN3300U

DMN33D8LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C Fast Switching Speed 3 @ VGS = 4.5V 30V 350 mA ESD Protected Gate to 2kV 7 @ VGS = 2.5V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. G

 9.3. Size:265K  diodes
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DMN3300U

DMN33D8L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C 3.0 @ VGS = 10V 250mA Fast Switching Speed 30V 3.8 @ VGS = 5V 200mA Low Input/Output Leakage ESD Protected 2KV Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Description an

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