DMN4468LSS Todos los transistores

 

DMN4468LSS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN4468LSS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.95 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.85 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 867 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
     - Selección de transistores por parámetros

 

DMN4468LSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  diodes
 dmn4468lss.pdf pdf_icon

DMN4468LSS

DMN4468LSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOP-8L Low Input Capacitance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

 0.1. Size:836K  cn vbsemi
 dmn4468lss-13.pdf pdf_icon

DMN4468LSS

DMN4468LSS-13www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switc

Otros transistores... DMN32D2LDF , DMN32D2LFB4 , DMN32D2LV , DMN3300U , DMN3404L , DMN3730U , DMN3730UFB , DMN3730UFB4 , 8N60 , DMN4800LSS , DMN4800LSSL , DMS3016SFG , DMS3016SSSA , ZXM61N03F , ZXM62N03G , ZXMD63N03X , ZXMN3A01E6 .

History: AUIRLL014N | 2SK214 | BLF6G10-200RN | NDP6050L | 2SK3325-ZJ | JCS4N80FH

 

 
Back to Top

 


 
.