DMS3016SFG Todos los transistores

 

DMS3016SFG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMS3016SFG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1886 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI-3333-8
 

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DMS3016SFG datasheet

 6.1. Size:161K  diodes
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DMS3016SFG

DMS3016SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically Case SO-8 integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low RDS(ON) - minimizes conduction losses UL Flammability Classification Rating 94V-0

 6.2. Size:157K  diodes
 dms3016sssa.pdf pdf_icon

DMS3016SFG

DMS3016SSSA N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically Case SO-8 integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low RDS(ON) - minimizes conduction losses UL Flammability Classification Rating 94V-0

 7.1. Size:555K  fairchild semi
 fdms3016dc.pdf pdf_icon

DMS3016SFG

July 2013 FDMS3016DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 30 V, 49 A, 6.0 m Features General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 6.0 m at VGS = 10 V, ID = 12 A Advancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 9.0 m at VGS

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