APG130N06NF Todos los transistores

 

APG130N06NF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APG130N06NF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1666 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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APG130N06NF datasheet

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APG130N06NF

APG130N06NF 60V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG130N06NF use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and un

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APG130N06NF

APG130N06D 60V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG130N06D use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and unif

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APG130N06NF

Otros transistores... AP9N20P , AP9N20Y , AP9P20D , APG100N10D , APG110N10NF , APG120N10NF , APG120N12NF , APG130N06D , MMIS60R580P , AP7P15D , AP7P15Y , AP80N02DF , AP80N02NF , AP80N03D , AP80N03DF , AP80N03NF , AP80N04D .

 

 

 


 
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