AP8205A-21 Todos los transistores

 

AP8205A-21 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP8205A-21
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 87 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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AP8205A-21 Datasheet (PDF)

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AP8205A-21

AP8205A-21 20V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205A-21 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =20V I =6.5A DS DR

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AP8205A-21

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AP8205A-21

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AP8205A-21

AP8205S 20V N+N Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8205S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge DS(ON)and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 20V, ID = 6A RDS(ON)

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History: AP8H04DF | AOI1N60L | ELM32400LA | STP110N8F7 | AP85T08GP | WMJ26N60C4

 

 
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