AP5N06MI Todos los transistores

 

AP5N06MI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP5N06MI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AP5N06MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1567K  cn apm
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AP5N06MI

AP5N06MI 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N06MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =5A DS DR

 9.1. Size:886K  cn apm
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AP5N06MI

AP5N04MI 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET DescriptionThe AP5N04MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =5.0A DS DR

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History: GSM3015S | GSM4124WS | AP50P10D | CJPF05N65 | IRFH5010PBF

 

 
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