SSC8415GS6 Todos los transistores

 

SSC8415GS6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSC8415GS6
   Código: 3415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.9 V
   tonⓘ - Tiempo de encendido: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SSC8415GS6 Datasheet (PDF)

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SSC8415GS6

SSC8415GS6P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Applications Load SwitchV V R TYP I Portable DevicesDS GS DSon D DCDC conversion35mR@-4V5 Pin Configuration-20V 12V 44mR@-2V5 -4ATop View57mR@-1V8 General DescriptionThis device is produced with high cell density DMOStrench technology, which is especially used to minimizeon-state resistan

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