SSC8P20AN2 Todos los transistores

 

SSC8P20AN2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSC8P20AN2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
 

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SSC8P20AN2 Datasheet (PDF)

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SSC8P20AN2

SSC8P20AN2 SSC8P20AN2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET with PNP Transistor Features Pin configuration N-Channel Top view VDS VGS RDSON Typ. ID 255mR@4V5 20V 8V 0.8A 390mR@2V5 PNP Transistor VCE VBE VCESAT Typ. IC -40V -6V -200mV -1A Description SSC8P20AN2 combines an N-Channel enhancement mode power MOSFET which is produced with high cell density

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SSC8P20AN2

SSC8P22CN2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Applications Li Battery Charging PNP Transistor VCE VBE Vcesat max Ic -40v -6v -200mv -3.0A Pin configuration General Description SSC8P22CN2 combines an N-Channel enhancement mode Pin configuration(Top view) MOSFET and a Media Power PNP Transistor. The tiny and thin outline saves PCB consumption.

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SSC8P20AN2

SSC8P22AN3 SSC8P22AN3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET with PNP Transistor Features Pin configuration N-Channel Top view VDS VGS RDSON Typ. ID 255mR@4V5 20V 8V 0.8A 390mR@2V5 PNP Transistor VCE VBE VCESAT Typ. IC -40V -6V -150mV -3A Description SSC8P22AN3 combines an N-Channel enhancement mode power MOSFET which is produced with high cell density

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