SSC8P20AN2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSC8P20AN2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

tonⓘ - Tiempo de encendido: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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SSC8P20AN2 datasheet

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SSC8P20AN2

SSC8P20AN2 SSC8P20AN2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET with PNP Transistor Features Pin configuration N-Channel Top view VDS VGS RDSON Typ. ID 255mR@4V5 20V 8V 0.8A 390mR@2V5 PNP Transistor VCE VBE VCESAT Typ. IC -40V -6V -200mV -1A Description SSC8P20AN2 combines an N- Channel enhancement mode power MOSFET which is produced with high cell density

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SSC8P20AN2

SSC8P22CN2 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Applications Li Battery Charging PNP Transistor VCE VBE Vcesat max Ic -40v -6v -200mv -3.0A Pin configuration General Description SSC8P22CN2 combines an N-Channel enhancement mode Pin configuration(Top view) MOSFET and a Media Power PNP Transistor. The tiny and thin outline saves PCB consumption.

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SSC8P20AN2

SSC8P22AN3 SSC8P22AN3 N-Channel Enhancement Mode MOSFET with PNP Transistor Features Pin configuration N-Channel Top view VDS VGS RDSON Typ. ID 255mR@4V5 20V 8V 0.8A 390mR@2V5 PNP Transistor VCE VBE VCESAT Typ. IC -40V -6V -150mV -3A Description SSC8P22AN3 combines an N- Channel enhancement mode power MOSFET which is produced with high cell density

Otros transistores... AP20N06BD, AP20N06D, AP20N06S, AP20N10D, AP20P01BF, SSC8415GS6, SSC8K21GN3, SSC8K23GN2, IRFB3607, SSC8P22AN3, SSC8P22CN2, AP3410MI, AP3415A, AP35H04NF, AP3N06I, AP3N06MI, AP3N10BI