ATM3400NSA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ATM3400NSA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT23

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ATM3400NSA datasheet

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ATM3400NSA

ATM3400NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5.8A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

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ATM3400NSA

ATM3400ANSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5.8A FEATURES SOT-23 Trench FET Power MOSFET R

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ATM3400NSA

ATM3401PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -30V Drain Current -4.2A Features Trench FET Power MOSFET Exceptional on-resistance and maximum DC current capability R

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ATM3400NSA

ATM3404NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

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