ATM3400NSA - аналоги и даташиты транзистора

 

ATM3400NSA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ATM3400NSA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для ATM3400NSA

 

ATM3400NSA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  agertech
 atm3400nsa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3400NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: 30V Drain Current: 5.8A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on)R

 7.1. Size:961K  agertech
 atm3400ansa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3400ANSAN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: 30V Drain Current: 5.8AFEATURESSOT-23 Trench FET Power MOSFET R

 8.1. Size:1388K  agertech
 atm3401psa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3401PSAP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorDrain-Source Voltage: -30V Drain Current: -4.2AFeatures Trench FET Power MOSFET Exceptional on-resistance andmaximum DC current capabilityR

 8.2. Size:569K  agertech
 atm3404nsa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3404NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage: 30V Drain Current: 5A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on)R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP5N20D , AP5N20D-H , AP5N30D , ATM2320KNSQ , ATM2602NSG , ATM2604KNSG , ATM2N65TD , ATM3003PSA , IRLB3034 , ATM3401APSA , ATM3401PSA , AP6H03S , AP6N03LI , AP6N03SI , AP6N04SI , AP70P03NF , AP7N50D .

 

 
Back to Top

 


 
.