ATM3400NSA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ATM3400NSA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ATM3400NSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ATM3400NSA даташит

 ..1. Size:642K  agertech
 atm3400nsa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3400NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5.8A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

 7.1. Size:961K  agertech
 atm3400ansa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3400ANSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5.8A FEATURES SOT-23 Trench FET Power MOSFET R

 8.1. Size:1388K  agertech
 atm3401psa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3401PSA P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage -30V Drain Current -4.2A Features Trench FET Power MOSFET Exceptional on-resistance and maximum DC current capability R

 8.2. Size:569K  agertech
 atm3404nsa.pdf pdf_icon

ATM3400NSA

ATM3404NSA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Drain-Source Voltage 30V Drain Current 5A Features Trench FET Power MOSFET Excellent R and Low Gate Charge DS(on) R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP5N20D, AP5N20D-H, AP5N30D, ATM2320KNSQ, ATM2602NSG, ATM2604KNSG, ATM2N65TD, ATM3003PSA, IRLB3034, ATM3401APSA, ATM3401PSA, AP6H03S, AP6N03LI, AP6N03SI, AP6N04SI, AP70P03NF, AP7N50D