AP40P04DF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP40P04DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AP40P04DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP40P04DF datasheet

 ..1. Size:1350K  cn apm
 ap40p04df.pdf pdf_icon

AP40P04DF

AP40P04DF -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

 6.1. Size:1441K  cn apm
 ap40p04d.pdf pdf_icon

AP40P04DF

AP40P04D -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40P04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-40 A DS D R

 7.1. Size:606K  allpower
 ap40p04g.pdf pdf_icon

AP40P04DF

 7.2. Size:638K  allpower
 ap40p04q.pdf pdf_icon

AP40P04DF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP30P03D, AP40N02D, AP40N03S, AP40N10P, AP40N20MP, AP40P02D, AP40P03DF, AP40P04D, IRFP450, AP40P04NF, AP5P04MI, AP5P06MSI, AP60N02D, AP60N02DF, AP60N02NF, AP60N03D, AP60N03DF