DMB53D0UV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMB53D0UV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMB53D0UV

DMB53D0UV Datasheet (PDF)

..1. Size:135K diodes
dmb53d0uv.pdf

DMB53D0UVN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case: SOT-563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Volt

6.1. Size:321K diodes
dmb53d0udw.pdf

DMB53D0UDW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case: SOT-363 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD

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Liste

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