DMB53D0UV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMB53D0UV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: SOT563

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DMB53D0UV datasheet

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DMB53D0UV

DMB53D0UV N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case SOT-563 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Volt

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DMB53D0UV

DMB53D0UDW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case SOT-363 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD

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