Справочник MOSFET. DMB53D0UV

 

DMB53D0UV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMB53D0UV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SOT563

 Аналог (замена) для DMB53D0UV

 

 

DMB53D0UV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  diodes
 dmb53d0uv.pdf

DMB53D0UV DMB53D0UV

DMB53D0UVN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case: SOT-563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Volt

 6.1. Size:321K  diodes
 dmb53d0udw.pdf

DMB53D0UV DMB53D0UV

DMB53D0UDW N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET and NPN Transistor in One Package Case: SOT-363 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V max Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top