DMN55D0UT Todos los transistores

 

DMN55D0UT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN55D0UT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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DMN55D0UT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  diodes
 dmn55d0ut.pdf pdf_icon

DMN55D0UT

DMN55D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-523 Very Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound, Note 6. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitiv

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History: SRM4N65U | LPM3406B3F | IXTK90N25L2 | IXTQ80N28T | SUP36N20-54P | OSG65R220KZF

 

 
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