DMN55D0UT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: DMN55D0UT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.16 A
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6 Ohm
Тип корпуса: SOT523
DMN55D0UT Datasheet (PDF)
..1. Size:178K diodes
dmn55d0ut.pdf
dmn55d0ut.pdf
DMN55D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-523 Very Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound, Note 6. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitiv
Другие MOSFET... DMN4027SSS , DMN4030LK3 , DMN4031SSD , DMN4034SSD , DMN4034SSS , DMN4036LK3 , DMN4040SK3 , DMN5010VAK , K3569 , DMN5L06DMK , DMN5L06DWK , DMN5L06K , DMN5L06TK , DMN5L06VAK , DMN5L06VK , DMN5L06WK , DMN601DMK .
