Справочник MOSFET. DMN55D0UT

 

DMN55D0UT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN55D0UT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
 

 Аналог (замена) для DMN55D0UT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN55D0UT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  diodes
 dmn55d0ut.pdf pdf_icon

DMN55D0UT

DMN55D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-523 Very Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound, Note 6. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitiv

Другие MOSFET... DMN4027SSS , DMN4030LK3 , DMN4031SSD , DMN4034SSD , DMN4034SSS , DMN4036LK3 , DMN4040SK3 , DMN5010VAK , 2N7000 , DMN5L06DMK , DMN5L06DWK , DMN5L06K , DMN5L06TK , DMN5L06VAK , DMN5L06VK , DMN5L06WK , DMN601DMK .

History: SVGP104R5NS | TSJ10N10AT | BUK9628-55A | PMV15ENEA | OSG60R069HF | HUF76629D3ST

 

 
Back to Top

 


 
.