DMN55D0UT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: DMN55D0UT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: SOT523
Аналог (замена) для DMN55D0UT
DMN55D0UT Datasheet (PDF)
dmn55d0ut.pdf

DMN55D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOT-523 Very Low Gate Threshold Voltage Case Material: Molded Plastic, "Green" Molding Compound, Note 6. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitiv
Другие MOSFET... DMN4027SSS , DMN4030LK3 , DMN4031SSD , DMN4034SSD , DMN4034SSS , DMN4036LK3 , DMN4040SK3 , DMN5010VAK , IRLZ44N , DMN5L06DMK , DMN5L06DWK , DMN5L06K , DMN5L06TK , DMN5L06VAK , DMN5L06VK , DMN5L06WK , DMN601DMK .
History: CSD17585F5 | SWP7N60D | 2SK1916 | STD30PF03LT4 | LSH65R950HT | STL33N60DM2 | JBE112Q
History: CSD17585F5 | SWP7N60D | 2SK1916 | STD30PF03LT4 | LSH65R950HT | STL33N60DM2 | JBE112Q



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568 | mj15004 | ksc2073 | nte102a | tip31cg | s9015 transistor