DMN55D0UT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN55D0UT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для DMN55D0UT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN55D0UT даташит

 ..1. Size:178K  diodes
 dmn55d0ut.pdf pdf_icon

DMN55D0UT

DMN55D0UT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-523 Very Low Gate Threshold Voltage Case Material Molded Plastic, "Green" Molding Compound, Note 6. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Input Capacitance Moisture Sensitiv

Другие IGBT... DMN4027SSS, DMN4030LK3, DMN4031SSD, DMN4034SSD, DMN4034SSS, DMN4036LK3, DMN4040SK3, DMN5010VAK, AON7408, DMN5L06DMK, DMN5L06DWK, DMN5L06K, DMN5L06TK, DMN5L06VAK, DMN5L06VK, DMN5L06WK, DMN601DMK