AGM3401E Todos los transistores

 

AGM3401E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AGM3401E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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AGM3401E Datasheet (PDF)

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AGM3401E

AGM3401E General DescriptionProduct SummaryThe AGM3401E combines advanced trenchMOSFET technology with a low resistance packageto provide extremely low R .DS(ON)This device is idealfor load switch and batteryBVDSS RDSON IDprotection applications.-30V 43.5m -4.4A FeaturesSOT23-3 Pin ConfigurationAdvance high cell density Trench technologyLow R to m

 8.1. Size:1838K  cn agmsemi
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AGM3401E

AGM3404ETable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

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AGM3401E

AGM3400ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =12V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

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AGM3401E

AGM3404ELTable 3. Electrical Characteristics (TJ=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Conditions Min Typ Max UnitOn/Off StatesBV Drain-Source Breakdown Voltage V =0V I =250A 30 -- -- VGS DDSSZero Gate Voltage Drain Current V =30V,V =0V -- -- 1 ADS GSIDSSV =20V,V =0V -- -- nAGS DSIGSS Gate-Body Leakage Current100VGS(th) Gate Threshold Voltage V

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