AP2080Q Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP2080Q 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0098 Ohm
Encapsulados: DFN3X3
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de AP2080Q MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
AP2080Q datasheet
Otros transistores... AP2012, AP2012S, AP2022S, AP2035G, AP2035Q, AP2045KD, AP2055K, AP2080KA, 7N60, AP20N06T, AP20N100Q, AP20P30S, AP2301B, AP2310, AP2316, AP2317A, AP2317QD
History: PSMN1R5-40YSD | IRLHS6376 | AP8G04S | IRF7750 | PSMN1R0-40ULD | SSM4920M
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y
