AP2080Q datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2080Q  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2080Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2080Q даташит

 ..1. Size:1935K  allpower
 ap2080q.pdf pdf_icon

AP2080Q

 8.1. Size:1634K  allpower
 ap2080ka.pdf pdf_icon

AP2080Q

 8.2. Size:1875K  allpower
 ap2080k.pdf pdf_icon

AP2080Q

Другие IGBT... AP2012, AP2012S, AP2022S, AP2035G, AP2035Q, AP2045KD, AP2055K, AP2080KA, 7N60, AP20N06T, AP20N100Q, AP20P30S, AP2301B, AP2310, AP2316, AP2317A, AP2317QD