AP2716QD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP2716QD 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13(15) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84(155) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(0.054) Ohm
Encapsulados: PDFN3X3-8L
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AP2716QD datasheet
Otros transistores... AP25N06K, AP25N06Q, AP25P06K, AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, IRF740, AP2716SD, AP2N65K, AP3002S, AP3003, AP3004S, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K
History: PA002FMA | PSMN4R1-60YL
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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