AP2716QD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2716QD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13(15) ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84(155) pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(0.054) Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2716QD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2716QD даташит

 ..1. Size:1393K  allpower
ap2716qd.pdfpdf_icon

AP2716QD

 8.1. Size:1463K  allpower
ap2716kd.pdfpdf_icon

AP2716QD

 8.2. Size:1402K  allpower
ap2716sd.pdfpdf_icon

AP2716QD

 9.1. Size:1070K  allpower
ap2714qd.pdfpdf_icon

AP2716QD

Другие IGBT... AP25N06K, AP25N06Q, AP25P06K, AP25P06Q, AP25P30Q, AP2714QD, AP2714SD, AP2716KD, IRF740, AP2716SD, AP2N65K, AP3002S, AP3003, AP3004S, AP3065SD, AP30H150G, AP30H150K