AP3205 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP3205 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 187.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Encapsulados: TO220
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AP3205 datasheet
ap320n04tlg5.pdf
AP320N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP320N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =320A DS D R
Otros transistores... AP30N03K, AP30N04K, AP30P06, AP30P06K, AP3100A, AP3101A, AP3134N5, AP3139, 8205A, AP3404, AP3404S, AP3415E, AP3912GD, AP3N50F, AP3N50K, AP4407, AP4407C
History: AP3100A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
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