AP3205 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP3205
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP3205 даташит
ap320n04tlg5.pdf
AP320N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP320N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =320A DS D R
Другие IGBT... AP30N03K, AP30N04K, AP30P06, AP30P06K, AP3100A, AP3101A, AP3134N5, AP3139, 8205A, AP3404, AP3404S, AP3415E, AP3912GD, AP3N50F, AP3N50K, AP4407, AP4407C
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313


