AP5N50K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP5N50K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AP5N50K MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AP5N50K datasheet

 ..1. Size:841K  allpower
 ap5n50k.pdf pdf_icon

AP5N50K

 8.1. Size:789K  allpower
 ap5n50f.pdf pdf_icon

AP5N50K

 8.2. Size:1600K  cn apm
 ap5n50d.pdf pdf_icon

AP5N50K

AP5N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFE Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

 8.3. Size:1440K  cn apm
 ap5n50f ap5n50p ap5n50t.pdf pdf_icon

AP5N50K

AP5N50FIPIT 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP50N04QD, AP50N06K, AP50P06K, AP50P20K, AP50P20Q, AP5N10M, AP5N10S, AP5N20K, SI2302, AP6007S, AP6009S, AP60N04Q, AP60P20K, AP6242, AP6800, AP6802, AP6900