AP5N50K - описание и поиск аналогов

 

AP5N50K - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5N50K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP5N50K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N50K технические параметры

 ..1. Size:841K  allpower
 ap5n50k.pdf pdf_icon

AP5N50K

 8.1. Size:789K  allpower
 ap5n50f.pdf pdf_icon

AP5N50K

 8.2. Size:1600K  cn apm
 ap5n50d.pdf pdf_icon

AP5N50K

AP5N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFE Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. General

 8.3. Size:1440K  cn apm
 ap5n50f ap5n50p ap5n50t.pdf pdf_icon

AP5N50K

AP5N50FIPIT 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP50N04QD , AP50N06K , AP50P06K , AP50P20K , AP50P20Q , AP5N10M , AP5N10S , AP5N20K , SI2302 , AP6007S , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.