AP60P20K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP60P20K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: TO252

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AP60P20K datasheet

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AP60P20K

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AP60P20K

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

 7.2. Size:1072K  allpower
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AP60P20K

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

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AP60P20K

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