AP60P20K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP60P20K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP60P20K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60P20K даташит

 ..1. Size:675K  allpower
 ap60p20k.pdf pdf_icon

AP60P20K

 7.1. Size:1072K  1
 ap60p20q.pdf pdf_icon

AP60P20K

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

 7.2. Size:1072K  allpower
 ap60p20q.pdf pdf_icon

AP60P20K

AP60P20Q P-Channel Enhancement Mosfet Feature -20V,-60A R

 9.1. Size:144K  ape
 ap60pn72rlen.pdf pdf_icon

AP60P20K

AP60PN72RLEN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 600V D Small Package Outline RDS(ON) 72 ESD Diode Protected ID 53mA S RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV SOT-23 G Description D AP60PN72 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP50P20Q, AP5N10M, AP5N10S, AP5N20K, AP5N50K, AP6007S, AP6009S, AP60N04Q, IRF520, AP6242, AP6800, AP6802, AP6900, AP70N100K, AP70P03K, AP75N04K, AP7N10K