AP7N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP7N10K 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 27.5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: TO252
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AP7N10K datasheet
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: APG032N04G | AP10H04DF | AP10N04MSI | IRF8736PBF-1 | SRH03P098LD33TR-G
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Liste
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