AP7N10K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP7N10K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP7N10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7N10K даташит

 ..1. Size:825K  allpower
 ap7n10k.pdf pdf_icon

AP7N10K

Другие IGBT... AP60P20K, AP6242, AP6800, AP6802, AP6900, AP70N100K, AP70P03K, AP75N04K, 60N06, AP80N06DH, AP80N06H, AP80N06T, AP80P04K, AP85N04G, AP85N04K, AP85N04Q, AP85P04G