AP80N06H Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP80N06H  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 108 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO220

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AP80N06H datasheet

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AP80N06H

AP80N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 7.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =80 A DS D R

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