APC65R190FM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APC65R190FM 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 61.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83.1 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Encapsulados: TO220F
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APC65R190FM datasheet
Otros transistores... AP90N03GD, AP90N04G, AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF, IRF830, APG011N03G, APG011N04G, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: HGP046NE6AL | JFAM50N50C
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
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