APC65R190FM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APC65R190FM  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 83.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APC65R190FM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APC65R190FM даташит

 ..1. Size:679K  allpower
 apc65r190fm.pdf pdf_icon

APC65R190FM

Другие IGBT... AP90N03GD, AP90N04G, AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF, IRF830, APG011N03G, APG011N04G, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G