APG011N03G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APG011N03G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 64 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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APG011N03G datasheet

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APG011N03G

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APG011N03G

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APG011N03G

APG013N04G N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,160A R

Otros transistores... AP90N04G, AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF, APC65R190FM, IRF9640, APG011N04G, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q