APG011N03G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG011N03G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 64 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG011N03G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG011N03G даташит

 ..1. Size:2021K  allpower
 apg011n03g.pdf pdf_icon

APG011N03G

 6.1. Size:762K  allpower
 apg011n04g.pdf pdf_icon

APG011N03G

 9.1. Size:3044K  allpower
 apg013n04g.pdf pdf_icon

APG011N03G

APG013N04G N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,160A R

Другие IGBT... AP90N04G, AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF, APC65R190FM, IRF9640, APG011N04G, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q