APG011N04G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APG011N04G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1770 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0011 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de APG011N04G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

APG011N04G datasheet

 ..1. Size:762K  allpower
 apg011n04g.pdf pdf_icon

APG011N04G

 6.1. Size:2021K  allpower
 apg011n03g.pdf pdf_icon

APG011N04G

 9.1. Size:3044K  allpower
 apg013n04g.pdf pdf_icon

APG011N04G

APG013N04G N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,160A R

Otros transistores... AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF, APC65R190FM, APG011N03G, AON6426, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G