APG011N04G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG011N04G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1770 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG011N04G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG011N04G даташит

 ..1. Size:762K  allpower
 apg011n04g.pdf pdf_icon

APG011N04G

 6.1. Size:2021K  allpower
 apg011n03g.pdf pdf_icon

APG011N04G

 9.1. Size:3044K  allpower
 apg013n04g.pdf pdf_icon

APG011N04G

APG013N04G N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,160A R

Другие IGBT... AP90N04K, AP90N04Q, AP90P03K, AP9565K, AP9N20K, APC60R030WMF, APC65R190FM, APG011N03G, AON6426, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G