APG038N01G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APG038N01G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 67.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 104 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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APG038N01G datasheet

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APG038N01G

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APG038N01G

APG035N04Q N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,100A R

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APG038N01G

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