APG038N01G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG038N01G  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG038N01G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG038N01G даташит

 ..1. Size:780K  allpower
 apg038n01g.pdf pdf_icon

APG038N01G

 9.1. Size:1402K  allpower
 apg035n04q.pdf pdf_icon

APG038N01G

APG035N04Q N-Channel Enhancement Mosfet Feature 40V,100A R

 9.2. Size:779K  allpower
 apg032n04g.pdf pdf_icon

APG038N01G

Другие IGBT... APG011N04G, APG013N04G, APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, IRF1404, APG042N01D, APG045N85, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01