APG045N85 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APG045N85 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 819 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Encapsulados: TO220
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APG045N85 datasheet
Otros transistores... APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, IRF540N, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: SI7946ADP | UTT60P03
🌐 : EN ES РУ
Liste
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