APG045N85 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG045N85  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 819 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG045N85

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG045N85 даташит

 ..1. Size:861K  allpower
 apg045n85.pdf pdf_icon

APG045N85

 0.1. Size:810K  allpower
 apg045n85d.pdf pdf_icon

APG045N85

 9.1. Size:778K  allpower
 apg046n01g.pdf pdf_icon

APG045N85

 9.2. Size:1107K  allpower
 apg042n01d.pdf pdf_icon

APG045N85

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APG020N01GD, APG022N06G, APG024N04G, APG028N10, APG032N04G, APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, IRF540N, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, APG082N01, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q