APG082N01 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APG082N01  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de APG082N01 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

APG082N01 datasheet

 ..1. Size:775K  allpower
 apg082n01.pdf pdf_icon

APG082N01

APG082N01 N-Channel Enhancement Mosfet Feature 100V,100A R

 9.1. Size:1148K  allpower
 apg080n12.pdf pdf_icon

APG082N01

Otros transistores... APG035N04Q, APG038N01G, APG042N01D, APG045N85, APG070N12G, APG078N07, APG078N07K, APG080N12, IRLZ44N, APG095N01, APG095N01K, APG250N01Q, APP50N06, APP540, APG045N85D, APG046N01G, APG050N85