APG050N85D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APG050N85D 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 196 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 771 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Encapsulados: TO263
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APG050N85D datasheet
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: IPD50N04S4L-08 | FQPF19N10 | JMTG080P03A | AOI21357 | IPA60R180P7S | DH100P28B | AGM12T02LL
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