AO3480 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3480  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0265 Ohm

Encapsulados: SOT23

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AO3480 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AO3480 datasheet

 ..1. Size:811K  aosemi
 ao3480.pdf pdf_icon

AO3480

AO3480 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO3480 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 5.7A extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)

 0.1. Size:342K  aosemi
 ao3480c.pdf pdf_icon

AO3480

AO3480C 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 6.2A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:466K  aosemi
 ao3485c.pdf pdf_icon

AO3480

AO3485C 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 9.2. Size:655K  aosemi
 ao3481c.pdf pdf_icon

AO3480

AO3481C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -4.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... APG046N01G, APG050N85, APG050N85D, APG054N10, APG054N10D, APG060N85D, APG068N04G, APG068N04Q, IRFP250N, AO3481C, AOB29S50L, AOB380A60L, AOK033V120X2, AOK033V120X2Q, AOK065V120X2, AOK065V65X2, AOK500V120X2