AO3481C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3481C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AO3481C datasheet

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AO3481C

AO3481C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -4.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AO3481C

AO3481 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS -30V The AO3481 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and operation gate ID (at VGS=-10V) -4.0A voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=-10V)

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AO3481C

AO3485C 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -4.5A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

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AO3481C

AO3480 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO3480 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 5.7A extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)

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