AOM033V120X2 Todos los transistores

 

AOM033V120X2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOM033V120X2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 18 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 68 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
 

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AOM033V120X2 datasheet

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AOM033V120X2

ALPHA & OMEGA AOM033V120X2 SEMICONDUCTOR 1200 V SiC Silicon Carbide Power MOSFET Features Product Summary Proprietary SiCTM MOSFET technology V @ T 1200 V DS J, max Low loss, fast switching speeds with low R G I 120 A DM Optimized drive voltage (V = 15 V) for broad driver GS R 33 m DS(ON), typ compatibility Q 226 nC rr Robust body diode and low Qr

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History: AOM065V120X2Q

 

 

 


 
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